KOKUSAI ELECTRIC

事業内容

AI向け高帯域幅メモリ（HBM）や先端DRAM、3D NANDの製造投資を背景に、成膜・熱処理装置の高度化を進めている。半導体の微細化と積層化が進むほど、膜厚の均一性や低温での成膜性能が重要となり、同社のバッチ式処理技術が活用される工程も広がる。ALDなど原子層レベルで薄膜を制御する技術を強化し、既存のメモリ分野に加えてロジック半導体への展開も推進。装置販売後の保守、改造、部品供給などのサービス収益も重要な事業基盤となる。半導体メーカーの設備投資変動を受けやすい一方、製造工程の複雑化を中長期的な成長機会としている

注目する理由

数十枚以上のウェーハを一括処理しながら、ナノメートル単位の均一な薄膜を形成するバッチ式成膜技術に強みを持つ。半導体の積層化・微細化を、量産効率と精密制御の両面から支える