Patentix

事業内容

2026年3月、ルチル型二酸化ゲルマニウムを用いたデプレッション型MOSFETのトランジスタ動作実証に成功。4月にはシリーズA追加ラウンドで約1億5,000万円を調達し、材料の社会実装を加速した。5月にはシリコン基板上での単結晶膜形成と、6インチシリコン基板への成膜成功を発表。大口径化と既存半導体製造基盤との親和性向上に向けた重要な進展となった。今後は結晶品質、ドーピング制御、デバイス性能の向上を進め、エピタキシャルウェハーのサンプル供給や共同開発を拡大する。次世代パワー半導体として高耐圧・低損失化が期待される一方、量産歩留まりや信頼性の確立は今後の課題となる

注目する理由

SiC・GaNに続く新たなパワー半導体材料として、ルチル型二酸化ゲルマニウムの実用化に挑戦。結晶成長から導電性制御、トランジスタ動作実証まで進める国内でも特徴的な材料開発企業