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#HBM3社

HBM(High Bandwidth Memory)とは、複数のDRAMチップを垂直に積層し、非常に広いデータ転送帯域を実現する高性能メモリ技術。チップを貫通する微細な電極「TSV(シリコン貫通電極)」などを用いて積層したDRAMを接続し、多数の信号を並列に伝送することで、従来型メモリより高い帯域幅と優れた電力効率を実現する。GPUやAIアクセラレーターの近くに配置され、先端パッケージング技術によって演算チップと接続される。大規模言語モデルの学習・推論、高性能コンピューティング、科学技術計算など、大量のデータを高速に読み書きする用途で使用される。AI処理では演算能力だけでなく、メモリからデータを供給する速度が性能を制約するため、HBMは重要な構成要素となっている。製造にはDRAMの微細加工、薄化、積層、接合、熱管理など高度な技術が必要で、半導体製造と先端パッケージングの技術が密接に関係している

Micron Technology

米国上場DRAM・NAND・HBMを製造する世界的な半導体メモリメーカー

DRAM、HBM、NANDフラッシュメモリ、SSDなどを開発・製造。データセンター、PC、スマートフォン、自動車向けに供給する

SK hynix

韓国上場HBM・DRAM・NANDを製造する韓国の世界的大手メモリ企業

AI向けHBM、サーバー・PC用DRAM、NANDフラッシュメモリ、企業向けSSDなどを開発・製造する