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#3DNAND5社

3D NANDフラッシュメモリとは、データを記憶するメモリセルを垂直方向に多層積層した、不揮発性半導体メモリの一種。電源を切ってもデータを保持でき、SSD、スマートフォン、データセンター向けストレージなどに広く利用される。従来の平面型NANDでは微細化による記憶容量の拡大に限界があったため、メモリセルを三次元的に積み重ねる構造が開発された。製造には、数百層に及ぶ薄膜の形成、高アスペクト比の深穴エッチング、精密な成膜・絶縁技術などが必要となる。また、1つのセルに複数ビットを記録するTLCやQLCなどの多値化技術により、記憶密度をさらに高められる。大容量化に加え、読み書き速度、消費電力、耐久性、製造コストの最適化が重要な開発課題となっている。代表的な技術にはキオクシアの「BiCS FLASH」などがあり、生成AIの普及に伴って増大するデータの保存・処理を支える基盤技術となっている

Micron Technology

米国上場DRAM・NAND・HBMを製造する世界的な半導体メモリメーカー

DRAM、HBM、NANDフラッシュメモリ、SSDなどを開発・製造。データセンター、PC、スマートフォン、自動車向けに供給する

SK hynix

韓国上場HBM・DRAM・NANDを製造する韓国の世界的大手メモリ企業

AI向けHBM、サーバー・PC用DRAM、NANDフラッシュメモリ、企業向けSSDなどを開発・製造する